具有雙屏蔽結(jié)構(gòu)的SGTMOS器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122591526.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN216120306U | 公開（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216120306U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖巍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無錫紫光微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟四層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種具有雙屏蔽結(jié)構(gòu)的SGTMOS器件，在N型襯底上設(shè)有N型漂移區(qū)，在N型漂移區(qū)上開設(shè)有溝槽，在對(duì)應(yīng)溝槽的下端部外側(cè)的N型漂移區(qū)內(nèi)設(shè)有P型屏蔽層，在溝槽的下段側(cè)面與底面設(shè)有屏蔽柵氧化層，在屏蔽柵氧化層內(nèi)設(shè)有屏蔽柵多晶硅，在屏蔽柵多晶硅的上方兩側(cè)各設(shè)一個(gè)呈溝槽型的柵極氧化層，在柵極氧化層內(nèi)以及兩個(gè)柵極氧化層之間均設(shè)有柵極導(dǎo)電多晶硅；在N型漂移區(qū)上設(shè)有P型體區(qū)，在P型體區(qū)上設(shè)有N型源區(qū)，在N型源區(qū)上設(shè)有正面金屬，正面金屬通過正面金屬接觸柱與P型體區(qū)連接。本實(shí)用新型具有兩種電場(chǎng)屏蔽結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新基本消除了脖頸電阻并減小了N型漂移區(qū)電阻。 |
