超結(jié)SGT MOS功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022677174.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213184293U 公開(kāi)（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN213184293U 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖巍;張海濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫紫光微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214135 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種超結(jié)SGTMOS功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，在第一導(dǎo)電類型襯底上設(shè)有第一導(dǎo)電類型第一外延層、第一導(dǎo)電類型第二外延層、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型源區(qū)，從第一導(dǎo)電類型源區(qū)的上表面向下開(kāi)設(shè)有溝槽，在溝槽內(nèi)設(shè)有柵氧化層，在柵氧化層內(nèi)設(shè)有柵極導(dǎo)電多晶硅與屏蔽柵多晶硅，在第一導(dǎo)電類型源區(qū)、柵極導(dǎo)電多晶硅與柵氧化層上設(shè)有絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層上設(shè)有源極金屬；在第一導(dǎo)電類型第二外延層內(nèi)設(shè)有第二導(dǎo)電類型柱，相鄰第二導(dǎo)電類型柱之間設(shè)有第一導(dǎo)電類型柱，且第二導(dǎo)電類型柱深入到第一導(dǎo)電類型第一外延層內(nèi)。本實(shí)用新型能在實(shí)現(xiàn)低的閾值、低導(dǎo)通電阻的情況下承受更高的耐壓以及更加廣泛的安全工作范圍。