多次外延制作的超結(jié)屏蔽柵結(jié)構(gòu)IGBT

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023298447.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213845279U 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN213845279U 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖巍;張海濤 申請（專利權(quán)）人 無錫紫光微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214135 江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種多次外延制作的超結(jié)屏蔽柵結(jié)構(gòu)IGBT及制造方法，它包括它包括第二導(dǎo)電類型集電極、第一導(dǎo)電類型緩沖層、第一導(dǎo)電類型襯底、第一導(dǎo)電類型外延層、第一導(dǎo)電類型柱、第二導(dǎo)電類型柱、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型發(fā)射極、絕緣介質(zhì)層、發(fā)射極金屬、屏蔽柵氧化層、屏蔽柵多晶硅、屏蔽柵蓋板、柵極氧化層與柵極導(dǎo)電多晶硅。本實(shí)用新型可調(diào)節(jié)器件的電場分布，實(shí)現(xiàn)在低的閾值下有更有效的飽和電流，提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的安全工作區(qū)域。