帶有屏蔽柵結(jié)構(gòu)的IGBT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022677284.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213424995U 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN213424995U 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖巍;張海濤 申請（專利權(quán)）人 無錫紫光微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214135江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種帶有屏蔽柵結(jié)構(gòu)的IGBT器件，在第二導(dǎo)電類型集電極上設(shè)置第一導(dǎo)電類型緩沖層、第一導(dǎo)電類型襯底、第二導(dǎo)電類型體區(qū)與第一導(dǎo)電類型發(fā)射極，在第一導(dǎo)電類型發(fā)射極上開設(shè)有溝槽，在溝槽內(nèi)設(shè)置屏蔽柵氧化層、柵極導(dǎo)電多晶硅、屏蔽柵多晶硅、屏蔽柵蓋板與柵極氧化層，屏蔽柵多晶硅呈間隔地設(shè)置在柵極導(dǎo)電多晶硅的下方，在第一導(dǎo)電類型發(fā)射極、柵極氧化層與柵極導(dǎo)電多晶硅上設(shè)置絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層上設(shè)置發(fā)射極金屬，發(fā)射極金屬通過通孔與第二導(dǎo)電類型體區(qū)以及第一導(dǎo)電類型發(fā)射極歐姆接觸。本實(shí)用新型可調(diào)節(jié)器件的電場分布，降低IGBT的閾值、導(dǎo)通電阻和密勒電容，提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，同時(shí)還可以增強(qiáng)短路能力。