低導(dǎo)通壓降的載流子存儲(chǔ)型FS-IGBT及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110019615.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112750893A 公開（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112750893A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 史志揚(yáng);張海濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫紫光微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214135 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低導(dǎo)通壓降的載流子存儲(chǔ)型FS?IGBT，在N?型襯底上開設(shè)溝槽，在溝槽內(nèi)設(shè)置屏蔽柵氧化層、屏蔽柵多晶硅、柵極氧化層與柵極導(dǎo)電多晶硅；在N?型襯底的正面形成N+型載流子存儲(chǔ)層，在N+型載流子存儲(chǔ)層的正面形成P?型體區(qū)，在P?型體區(qū)的正面形成N+型發(fā)射極，在N+型發(fā)射極的正面設(shè)置絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層的正面設(shè)置發(fā)射極金屬；在N?型襯底的背面設(shè)置N+型緩沖層，在N+型緩沖層的背面設(shè)置P+型集電極。本發(fā)明降低了導(dǎo)通壓降，同時(shí)降低了反饋電容，改善了器件工作時(shí)的導(dǎo)通損耗，最終在一定程度上降低了開關(guān)損耗。