一種改善反向恢復(fù)特性的多次外延超結(jié)器件制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811529742.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109713029B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN109713029B 申請公布日 2021-08-03
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛璐;許高潮;張海濤 申請（專利權(quán)）人 無錫紫光微電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214135江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種改善反向恢復(fù)特性的多次外延超結(jié)器件制作方法，通過在襯底上生長多層外延層，每層外延層交替進行普遍注入第一導電類型雜質(zhì)+選擇性注入第一導電類型雜質(zhì)和普遍注入第二導電類型雜質(zhì)+選擇性注入第一導電類型雜質(zhì)，如此反復(fù)交替，然后高溫推阱，形成多次外延的超結(jié)結(jié)構(gòu)；本發(fā)明通過淀積外延+N型離子普注+選擇性注入P型離子+淀積外延+P型離子普注+選擇性注入N型離子，替代現(xiàn)有的淀積外延+N型離子普注+選擇性注入P型離子+高溫推阱，使得形成的P型柱間的間距增大，從而正向?qū)〞rN型外延層能夠存儲的多數(shù)載流子濃度更大，反向恢復(fù)時時間更長，增大了反向恢復(fù)軟度，改善了di/dt、dv/dt動態(tài)參數(shù)特性。