平面柵溝槽柵集成結(jié)構(gòu)的MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122537515.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN216120305U | 公開（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216120305U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 姜鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫紫光微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135江蘇省無(wú)錫市新區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟四層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及平面柵溝槽柵集成結(jié)構(gòu)的MOSFET器件，在N+型襯底的下方設(shè)有漏極接觸金屬，在N+型襯底的上方設(shè)有N?型漂移區(qū)，在N?型漂移區(qū)的中部上方設(shè)有第一P?型基區(qū)，在第一P?型基區(qū)的兩側(cè)上方設(shè)有第一N+型源區(qū)，在N?型漂移區(qū)的兩側(cè)上方設(shè)有第二P?型基區(qū)，在第二P?型基區(qū)的上方中部設(shè)有第二N+型源區(qū)，且第一P?型基區(qū)位于第二P?型基區(qū)的上方，在第二P?型基區(qū)與第二N+型源區(qū)的上方設(shè)有絕緣介質(zhì)，絕緣介質(zhì)部分覆蓋第二P?型基區(qū)與第二N+型源區(qū)，在絕緣介質(zhì)的內(nèi)部設(shè)有柵極接觸金屬。本實(shí)用新型在外延一定的條件下，提升了器件的電流密度，降低了導(dǎo)通電阻以及降低了反向傳輸電容Crss，使得器件應(yīng)用更可靠，導(dǎo)通損耗更低。 |
