平面柵溝槽柵集成結(jié)構(gòu)的MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111226596.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113823695A 公開（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113823695A 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫紫光微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及平面柵溝槽柵集成結(jié)構(gòu)的MOSFET器件，在N+型襯底的下方設(shè)有漏極接觸金屬，在N+型襯底的上方設(shè)有N?型漂移區(qū)，在N?型漂移區(qū)的中部上方設(shè)有第一P?型基區(qū)，在第一P?型基區(qū)的兩側(cè)上方設(shè)有第一N+型源區(qū)，在N?型漂移區(qū)的兩側(cè)上方設(shè)有第二P?型基區(qū)，在第二P?型基區(qū)的上方中部設(shè)有第二N+型源區(qū)，且第一P?型基區(qū)位于第二P?型基區(qū)的上方，在第二P?型基區(qū)與第二N+型源區(qū)的上方設(shè)有絕緣介質(zhì)，絕緣介質(zhì)部分覆蓋第二P?型基區(qū)與第二N+型源區(qū)，在絕緣介質(zhì)的內(nèi)部設(shè)有柵極接觸金屬。本發(fā)明在外延一定的條件下，提升了器件的電流密度，降低了導(dǎo)通電阻以及降低了反向傳輸電容Crss，使得器件應(yīng)用更可靠，導(dǎo)通損耗更低。