具有低導(dǎo)通電阻的超結(jié)MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120079075.9 申請日 -
公開（公告）號 CN214753770U 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN214753770U 申請公布日 2021-11-16
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜鵬;張海濤 申請（專利權(quán)）人 無錫紫光微電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214135江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D2棟四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種具有低導(dǎo)通電阻的超結(jié)MOSFET，在N型襯底的正面設(shè)置N型外延層，在N型外延層的正面向下開設(shè)有溝槽，在溝槽內(nèi)填充P型柱，在P型柱的上端設(shè)置P型體區(qū)，在P型體區(qū)內(nèi)設(shè)置N型源區(qū)，在N型外延層的正面設(shè)置屏蔽柵氧化層，在屏蔽柵氧化層的正面設(shè)置屏蔽柵多晶硅，在屏蔽柵多晶硅的正面設(shè)置絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層的正面設(shè)置發(fā)射極金屬，發(fā)射極金屬通過接觸柱與P型體區(qū)以及N型源區(qū)歐姆接觸。本實用新型通過縮短推進時間來實現(xiàn)更短的P型體區(qū)的寬度，從而得到更低的溝道電阻，進而實現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻，使得MOSFET性能更加優(yōu)異。