單層多晶嵌入式非揮發(fā)存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)陣列及其工作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111462132.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113870927B 公開（公告）日 2022-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113870927B 申請(qǐng)公布日 2022-03-01
分類號(hào) G11C16/04（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I;G11C16/14（2006.01）I;G11C16/26（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11524（2017.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 高瑞彬;許軍;李真 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州貝克微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 薛異榮
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城濟(jì)慈路150號(hào)1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種單層多晶嵌入式非揮發(fā)存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)陣列及其工作方法，存儲(chǔ)單元包括：第一控制管、第一隧穿管、第一反相器、第二控制管、第二隧穿管、第二反相器、雙穩(wěn)態(tài)單元和讀出結(jié)構(gòu)，第一反相器包括類型相反的第一子晶體管和第二子晶體管，第二反相器包括類型相反的第三子晶體管和第四子晶體管。所述存儲(chǔ)單元的可靠性得到提高。