基于半導(dǎo)體鍍納米介孔金屬薄膜結(jié)構(gòu)及太赫茲波增強系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811418365.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109557042B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN109557042B 申請公布日 2021-10-08
分類號 G01N21/3586（2014.01）I;H01S1/02（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 曾和平;南君義;李敏;張玲 申請（專利權(quán)）人 廣東朗研科技有限公司
代理機構(gòu) 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 劉克寬
地址 523808廣東省東莞市松山湖高新區(qū)工業(yè)北路中小科技企業(yè)創(chuàng)業(yè)園第四棟1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種增強場太赫茲波輻射的納米介孔金屬薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：先制備出含有至少兩種金屬元素的合金薄膜，然后在一定條件下將其中至少一種金屬元素經(jīng)化學(xué)反應(yīng)蝕出，得到表面粗糙、內(nèi)部含有大量納米介孔的金屬薄膜，然后將該表面粗糙、內(nèi)部含有大量納米介孔的金屬薄膜鍍覆到半導(dǎo)體襯底的表面。通過該方法制得的納米介孔金屬薄膜結(jié)構(gòu)，能從根本上提高太赫茲波的能量上限，從而獲得強場太赫茲波。