一種孔隙率可控的石墨烯改性硅碳復合材料的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910085515.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109873136A | 公開(公告)日 | 2019-06-11 |
申請公布號 | CN109873136A | 申請公布日 | 2019-06-11 |
分類號 | H01M4/36(2006.01)I; H01M4/38(2006.01)I; H01M4/62(2006.01)I; H01M10/0525(2010.01)I; B82Y30/00(2011.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 胡玲 | 申請(專利權)人 | 鴻納(東莞)新材料科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳市惠邦知識產(chǎn)權代理事務所 | 代理人 | 鴻納(東莞)新材料科技有限公司 |
地址 | 523000 廣東省東莞市大朗鎮(zhèn)松柏朗新園一路141號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種孔隙率可控的石墨烯改性硅碳復合材料的制備方法,具體制作步驟如下:步驟一、制備預分散的粗硅粉漿料:首先將分散劑和助劑加入至溶劑中,攪拌溶解完全,再加入粒徑為1~10um的高純金屬硅粉,攪拌分散均勻后得到粗硅粉漿料;步驟二、制備納米級硅漿料:將步驟一得到的粗硅粉漿料加入分散罐中,向分散罐中通入保護氣體,按球料比200~20:1向球磨罐中加入球磨介質(zhì);步驟三、制備納米硅粉;步驟四、制備石墨烯改性納米硅復合漿料;步驟五、制備用于儲能材料的石墨烯改性硅碳復合材料。該方法制備的石墨烯改性納米硅孔隙率可控,具備機械強度高、比表面積低、電導率高、首次效率高和循環(huán)保持率高的優(yōu)點。 |
