多鐵/壓電復合結構及其存儲器件、制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610143309.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105762275A 公開（公告）日 2016-07-13
申請公布號 CN105762275A 申請公布日 2016-07-13
分類號 H01L43/10;H01L43/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉建國;葉釗赫;苗君;邵飛 申請（專利權）人 唐山市盛泰建筑安裝有限公司
代理機構 北京成創(chuàng)同維知識產權代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 063100 河北省唐山市古冶區(qū)經濟開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種多鐵/壓電復合結構，包括：基片；位于所述基片上由導電氧化物形成的底電極層；以及位于所述底電極層上的壓電層和多鐵薄膜層交替堆疊而形成的疊層；其中，多鐵薄膜層與相鄰的壓電層彼此接觸且一起形成三明治結構。本發(fā)明提供的多鐵/壓電復合結構利用壓電層與低溫多鐵材料形成的多鐵薄膜層的相似結構形成界面效應與交換耦合，進而導致在低溫環(huán)境如南極、太空探索等環(huán)境下多鐵薄膜的性能提高，大大提高了多鐵材料諸如YMnO3在鐵電存儲方面的應用，從而滿足人們在低溫環(huán)境下對硬盤快速寫入讀出，計算機非易失性存儲，及器件小型化多功能化的需求。