反射結(jié)構(gòu)及GaN基薄膜型結(jié)構(gòu)LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120117254.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214313231U 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN214313231U 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L33/46（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 封波;彭翔;金力 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 晶能光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330096江西省南昌市高新開(kāi)發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種反射結(jié)構(gòu)及GaN基薄膜型結(jié)構(gòu)LED芯片，其中，反射結(jié)構(gòu)中包括：金屬反射層及設(shè)置于金屬反射層表面由介電材料形成的介電反射層，介電反射層中包括填充有導(dǎo)電材料的第一通孔，且介電反射層中介電材料與導(dǎo)電材料的接觸面之間、介電材料與金屬反射層的接觸面之間及介電反射層上表面均設(shè)置有透明導(dǎo)電層。解決介電材料接觸區(qū)域電流無(wú)法流經(jīng)的問(wèn)題，使得制備得到的LED芯片中電流擴(kuò)散更均勻，且具有更高的光提取效率。