倒裝LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120117251.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214313229U 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN214313229U 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L33/14（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭翔;金力;封波 申請（專利權(quán)）人 晶能光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330096江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種倒裝LED芯片，包括：生長襯底；半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)，表面形成有發(fā)光區(qū)域和電極區(qū)域；電極區(qū)域表面設(shè)置有貫穿連接至n型半導(dǎo)體層的n電極；發(fā)光區(qū)域表面設(shè)置有：反射結(jié)構(gòu)，包括介電反射層及金屬反射層，介電反射層中包括填充有導(dǎo)電材料的第一通孔，且介電反射層中介電材料與導(dǎo)電材料的接觸面之間、介電材料與金屬反射層的接觸面之間及介電反射層與半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的接觸面之間均設(shè)置有透明導(dǎo)電層；絕緣層，設(shè)置于反射結(jié)構(gòu)表面及發(fā)光區(qū)域結(jié)構(gòu)側(cè)壁；p電極，通過絕緣層的第二通孔導(dǎo)電連接至反射結(jié)構(gòu)。解決金屬反射層、介電反射層及發(fā)光材料之間的粘附性問題的同時，解決介電材料接觸區(qū)域電流無法流經(jīng)的問題。