一種多容值芯片電容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120770352.0 申請日 -
公開（公告）號 CN214705734U 公開（公告）日 2021-11-12
申請公布號 CN214705734U 申請公布日 2021-11-12
分類號 H01G4/30（2006.01）I;H01G4/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 熊珊;吳浩;彭高東;何培統(tǒng);張浩天;席生 申請（專利權(quán)）人 廣州創(chuàng)天電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市百拓共享專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉靜
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)來安一街8號之一
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種多容值芯片電容器，包括一介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的上側(cè)面及與所述上側(cè)面對應(yīng)的下側(cè)面分別形成有上金屬層和下金屬層，所述下金屬層與所述上金屬層均包括從所述介質(zhì)層向外延伸依次設(shè)置的一TaN防擴(kuò)散層、一TiW/Ti粘結(jié)層及一Ni阻隔層，所述上金屬層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)形成有不同容值的上電極，所述下金屬層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)形成有下電極。本實(shí)用新型通過將多容值電極集合設(shè)置在單介質(zhì)層上，使單一電容器具備多電容值性能，解決現(xiàn)有技術(shù)中單電容器無法適應(yīng)多電容值需要的問題。并通過結(jié)構(gòu)、尺寸與性能的優(yōu)配，使得到的多容值芯片電容器具備優(yōu)良的性能，滿足人們需求，實(shí)用性高。