一種使用砷化鎵晶片制作三代像增強(qiáng)器的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611225353.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106783467B 公開(kāi)（公告）日 2018-06-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN106783467B 申請(qǐng)公布日 2018-06-05
分類號(hào) H01J9/00;H01J9/12;H01J31/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京漢元一諾科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天江律師事務(wù)所 代理人 北京漢元一諾科技有限公司
地址 100041 北京市石景山區(qū)實(shí)興大街30號(hào)院16號(hào)樓9層905
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種使用砷化鎵晶片制作三代像增強(qiáng)器的方法，首先將砷化鎵晶片進(jìn)行超聲波清洗處理，然后鍍鉑導(dǎo)電層；將鍍鉑之后的砷化鎵晶片再進(jìn)行超聲波清洗，與經(jīng)過(guò)高溫氧化處理的脈沖電源進(jìn)行高頻封接，形成封接件；再將依次經(jīng)過(guò)清洗、鍍熒光粉、高溫定型的光纖倒像器與封接件進(jìn)行激光焊接，進(jìn)一步形成核心組件；核心組件與殼體封裝后完成制作。本發(fā)明的生產(chǎn)環(huán)節(jié)為流程化控制，適合于批量生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高；副反應(yīng)的發(fā)生幾率低，產(chǎn)品合格率高；使用的器件或設(shè)備均市場(chǎng)可購(gòu)，不僅成本低，還有利于打破市場(chǎng)壟斷；此外，本發(fā)明的使用壽命較長(zhǎng)，可從一般像增強(qiáng)器的一萬(wàn)小時(shí)延長(zhǎng)至三萬(wàn)小時(shí)。