一種使用砷化鎵晶片制作三代像增強器的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611225353.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106783467B 公開（公告）日 2018-06-05
申請公布號 CN106783467B 申請公布日 2018-06-05
分類號 H01J9/00;H01J9/12;H01J31/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王坤 申請（專利權(quán)）人 北京漢元一諾科技有限公司
代理機構(gòu) 北京天江律師事務所 代理人 北京漢元一諾科技有限公司
地址 100041 北京市石景山區(qū)實興大街30號院16號樓9層905
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種使用砷化鎵晶片制作三代像增強器的方法，首先將砷化鎵晶片進行超聲波清洗處理，然后鍍鉑導電層；將鍍鉑之后的砷化鎵晶片再進行超聲波清洗，與經(jīng)過高溫氧化處理的脈沖電源進行高頻封接，形成封接件；再將依次經(jīng)過清洗、鍍熒光粉、高溫定型的光纖倒像器與封接件進行激光焊接，進一步形成核心組件；核心組件與殼體封裝后完成制作。本發(fā)明的生產(chǎn)環(huán)節(jié)為流程化控制，適合于批量生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高；副反應的發(fā)生幾率低，產(chǎn)品合格率高；使用的器件或設備均市場可購，不僅成本低，還有利于打破市場壟斷；此外，本發(fā)明的使用壽命較長，可從一般像增強器的一萬小時延長至三萬小時。