一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611115868.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106784304B 公開（公告）日 2019-07-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN106784304B 申請(qǐng)公布日 2019-07-19
分類號(hào) H01L43/10;H01L43/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 俞振中;馬可軍;鄭律 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇森尼克電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 浙江森尼克半導(dǎo)體有限公司
地址 311215 浙江省杭州市蕭山區(qū)蕭山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)紅墾農(nóng)場(chǎng)紅墾路83號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的溫度效應(yīng)，性能穩(wěn)定。一種摻雜型InSb薄膜，InSb薄膜內(nèi)摻雜有Te，所述Te的摻雜濃度大于或等于1×1017/cm3。一種摻雜型InSb薄膜的制備方法，采用In源、Sb源、In?Te合金源三個(gè)蒸發(fā)源，熱蒸發(fā)制得所述摻雜型InSb薄膜，所述In?Te合金中Te的含量為1×1019~1×1021/cm3。