一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611115868.1 申請日 -
公開（公告）號 CN106784304A 公開（公告）日 2017-05-31
申請公布號 CN106784304A 申請公布日 2017-05-31
分類號 H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 俞振中;馬可軍;鄭律 申請（專利權(quán)）人 江蘇森尼克電子科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 江蘇森尼克電子科技有限公司;浙江森尼克半導(dǎo)體有限公司
地址 215634 江蘇省蘇州市張家港保稅區(qū)新興產(chǎn)業(yè)育成中心4棟253A室（森尼克）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的溫度效應(yīng)，性能穩(wěn)定。一種摻雜型InSb薄膜，InSb薄膜內(nèi)摻雜有Te，所述Te的摻雜濃度大于或等于1×1017/cm3。一種摻雜型InSb薄膜的制備方法，采用In源、Sb源、In?Te合金源三個蒸發(fā)源，熱蒸發(fā)制得所述摻雜型InSb薄膜，所述In?Te合金中Te的含量為1×1019~1×1021/cm3。