一種用于InSb薄膜的退火裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201621339171.8 申請日 -
公開（公告）號 CN206204414U 公開（公告）日 2017-05-31
申請公布號 CN206204414U 申請公布日 2017-05-31
分類號 C23C14/58(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 馬可軍;俞振中;鄭律 申請（專利權(quán)）人 江蘇森尼克電子科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 孫仿衛(wèi);李萍
地址 215634 江蘇省蘇州市張家港保稅區(qū)新興產(chǎn)業(yè)育成中心4棟253A室（森尼克）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種用于InSb薄膜的退火裝置，包括用于放置InSb薄膜的具有內(nèi)腔的退火室、設(shè)置在所述退火室下方的下加熱器，其特征在于：該退火裝置還包括上加熱器，所述上加熱器可移動地設(shè)置在所述退火室的上方。所述退火室內(nèi)具有多個分別用于放置InSb薄膜的樣品放置區(qū)，多個所述樣品放置區(qū)沿石英管縱向排列，所述上加熱器可沿橫向移動地設(shè)置在所述退火室的上方。優(yōu)選地，所述上加熱器包括沿與石英管平行延伸的加熱棒，所述加熱棒可沿橫向移動地設(shè)置在所述退火室的上方。下加熱器對InSb薄膜進行基礎(chǔ)加熱，使InSb薄膜的溫度升至480℃左右，加之可移動的上加熱器可嚴格控制InSb薄膜溫度；結(jié)晶方向一致，結(jié)晶狀態(tài)好控制，有利于改進雜質(zhì)分布，工藝容易控制。