一種直拉式單晶硅生產(chǎn)方法和裝置及系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011124876.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112226812A | 公開(公告)日 | 2021-01-15 |
申請公布號 | CN112226812A | 申請公布日 | 2021-01-15 |
分類號 | C30B15/26;C30B29/06;G06T7/11;G06T7/136;G06T7/187;G06T7/60 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 嚴(yán)超;司澤;陳俊良;李志軒 | 申請(專利權(quán))人 | 北京圖知天下科技有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京細(xì)軟智谷知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 北京圖知天下科技有限責(zé)任公司 |
地址 | 100089 北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號1號樓5層0606 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種直拉式單晶硅生產(chǎn)方法和裝置及系統(tǒng),屬于直拉式單晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域,通過獲取導(dǎo)流筒出口包括液面和倒影的圖像,實時調(diào)整坩堝和導(dǎo)流筒間的距離,使熔融硅液面與導(dǎo)流筒間距離不變。本發(fā)明使用圖像測距的方案,無需使用硬件傳感器,成本較低。同時能保證相應(yīng)方法在不同設(shè)備條件下均能完成對距離的測量,無須對每個設(shè)備都進(jìn)行精細(xì)校準(zhǔn)調(diào)試。 |
