集成射頻測(cè)試壓點(diǎn)的太赫茲單片電路結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110500062.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113241309A 公開（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113241309A 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I;B07C5/344（2006.01）I;G06F30/367（2020.01）I;G06F30/392（2020.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柳林;胡志富;何美林;何銳聰;劉亞男;彭志農(nóng);徐敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河北雄安太芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 河北冀華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王占華
地址 071000河北省保定市容城縣容城鎮(zhèn)影院路1號(hào)B區(qū)201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成射頻測(cè)試壓點(diǎn)的太赫茲單片電路結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述電路結(jié)構(gòu)包括襯底，所述襯底包括太赫茲單片電路襯底以及在片探針結(jié)構(gòu)襯底，所述太赫茲單片電路襯底的上表面形成有太赫茲單片電路，所述太赫茲單片電路的輸入端以及輸出端的微帶線分別經(jīng)一個(gè)中間射頻測(cè)試壓點(diǎn)后與在片探針結(jié)構(gòu)連接，所述中間射頻測(cè)試壓點(diǎn)的兩側(cè)分別形成有一個(gè)側(cè)面射頻測(cè)試壓點(diǎn)，所述側(cè)面射頻測(cè)試壓點(diǎn)通過(guò)金屬化過(guò)孔與襯底背面的金屬層連接，所述在片探針結(jié)構(gòu)上分別連接有輸入波導(dǎo)接口以及輸出波導(dǎo)接口。本申請(qǐng)所述太赫茲單片電路結(jié)構(gòu)將射頻測(cè)試壓點(diǎn)設(shè)計(jì)到單片電路結(jié)構(gòu)上，可以對(duì)單片進(jìn)行在片篩選，在第一時(shí)間鑒別芯片的好壞和一致性，從而提高了生產(chǎn)效率。