一種半導(dǎo)體和二維材料的組合功率器件及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201810750083.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108878423B | 公開（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申請公布號 | CN108878423B | 申請公布日 | 2018-11-23 |
| 分類號 | H01L27/095(2006.01)I;H01L21/8258(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉新科;胡聰;王佳樂 | 申請（專利權(quán)）人 | 山西鎵能半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳大學(xué) |
| 地址 | 518060廣東省深圳市南山區(qū)南海大道3688號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體和二維材料的組合功率器件及其制備方法，該組合功率器件包括設(shè)置在同一襯底上的異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管和二維材料晶體管，其中襯底上設(shè)置有二維材料層以及依次設(shè)置于襯底的GaN層、AlGaN層，AlGaN層與二維材料層上的兩端設(shè)置有歐姆接觸電極、肖特基接觸電極。該組合功率器件中的異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管和二維材料晶體管設(shè)置于同一襯底上，即該組合功率器件不僅具有異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管大擊穿電場、高電子飽和速率、抗輻射能力強(qiáng)及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，還具有二維材料晶體管的高能效、可運(yùn)用于柔性屏，高分辨率液晶顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器等領(lǐng)域的特點(diǎn)，因此本發(fā)明提供的組合功率器件具有更廣的應(yīng)用范圍。?? |
