異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810628897.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108807530A 公開（公告）日 2018-11-13
申請公布號 CN108807530A 申請公布日 2018-11-13
分類號 H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉新科;王磊;敖金平 申請（專利權(quán)）人 山西鎵能半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳大學(xué)
地址 518060 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道3688號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管及其制備方法。該制備方法，包括如下步驟：提供襯底；在所述襯底上制備AlGaN/GaN異質(zhì)外延層；在所述AlGaN/GaN異質(zhì)外延層上制備源電極和漏電極；利用磁控濺射法在所述AlGaN/GaN異質(zhì)外延層上沉積p型氧化物，制得p型氧化物柵極。該制備方法工藝簡單，既可以避免p型氧化物被污染，又可以實(shí)現(xiàn)制備較高濃度的p型氧化物柵極，而且還能保證對GaN基異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管閾值電壓的正向調(diào)控能力，最終該異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管的器件功率得到顯著提高。