一種晶圓間金屬層互聯(lián)工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810201441.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108511473A 公開(kāi)（公告）日 2018-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN108511473A 申請(qǐng)公布日 2018-09-07
分類號(hào) H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 佛山市海森特集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 225217 江蘇省揚(yáng)州市江都區(qū)真武鎮(zhèn)濱西村蔣莊組7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)一種金屬層互連工藝，涉及傳感器的制備領(lǐng)域，通過(guò)在互連線的制備工藝時(shí)，直接刻蝕器件晶圓至底部金屬層上方的介質(zhì)層，以形成互連凹槽，并基于該互連凹槽繼續(xù)刻蝕其下方的薄膜至邏輯晶圓的頂部金屬層的保護(hù)層，形成互連通孔后，同時(shí)去除互連通孔和互聯(lián)凹槽底部的薄膜，以將上述的底部金屬層和頂部金屬層暴露，進(jìn)而形成連接上述器件晶圓和邏輯晶圓的互連線，相較于傳統(tǒng)制備互連線的工藝，本申請(qǐng)請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)方案能極大簡(jiǎn)化工藝步驟，進(jìn)而大大降低工藝成本，便于大規(guī)模的生產(chǎn)和應(yīng)用。