一種晶圓間金屬層互聯(lián)工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201810201441.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108511473B | 公開（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請公布號 | CN108511473B | 申請公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號 | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳超 | 申請（專利權(quán)）人 | 佛山市海森特集成電路有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 | 代理人 | 譚雪婷 |
| 地址 | 528200廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)軟件園桃園路南海產(chǎn)業(yè)智庫城一期B座B604室（住所申報） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請一種金屬層互連工藝，涉及傳感器的制備領(lǐng)域，通過在互連線的制備工藝時，直接刻蝕器件晶圓至底部金屬層上方的介質(zhì)層，以形成互連凹槽，并基于該互連凹槽繼續(xù)刻蝕其下方的薄膜至邏輯晶圓的頂部金屬層的保護層，形成互連通孔后，同時去除互連通孔和互聯(lián)凹槽底部的薄膜，以將上述的底部金屬層和頂部金屬層暴露，進而形成連接上述器件晶圓和邏輯晶圓的互連線，相較于傳統(tǒng)制備互連線的工藝，本申請請求保護的技術(shù)方案能極大簡化工藝步驟，進而大大降低工藝成本，便于大規(guī)模的生產(chǎn)和應用。?? |
