高電壓發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201020657139.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN201956354U 公開(kāi)（公告）日 2011-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN201956354U 申請(qǐng)公布日 2011-08-31
分類(lèi)號(hào) H01L27/15(2006.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭暉;閆春輝;郭文平;柯志杰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 亞威朗光電（中國(guó)）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 314305 浙江省海鹽縣海鹽經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)大橋新區(qū)銀灘路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高電壓發(fā)光二極管，包括：依次形成在生長(zhǎng)襯底上的外延層、透明電極和鈍化層，以及連接電極。外延層包括依次形成的N-類(lèi)型限制層、活化層和P-類(lèi)型限制層；連接電極包括N-打線焊盤(pán)、P-打線焊盤(pán)和條形電極。透明電極覆蓋P-類(lèi)型限制層。刻蝕外延層直至生長(zhǎng)襯底，形成至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元。每個(gè)發(fā)光二極管單元形成至少一個(gè)半導(dǎo)體外延層平臺(tái)，外延層平臺(tái)的底面露出N-類(lèi)型限制層。在半導(dǎo)體外延層平臺(tái)底面和透明電極上方的鈍化層的預(yù)定位置形成多個(gè)窗口；條形電極通過(guò)窗口形成在一個(gè)發(fā)光二極管單元的N-類(lèi)型限制層上，并與預(yù)定的鄰近的發(fā)光二極管單元的P-類(lèi)型限制層電連接。條形電極把N-打線焊盤(pán)、多個(gè)發(fā)光二極管單元和P-打線焊盤(pán)以串聯(lián)的方式形成電連接。