發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010242298.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102347416A 公開（公告）日 2012-02-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN102347416A 申請(qǐng)公布日 2012-02-08
分類號(hào) H01L33/44(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭暉;閆春輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 亞威朗光電（中國(guó)）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 314305 浙江省海鹽縣海鹽經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)大橋新區(qū)銀灘路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的發(fā)光效率較高的LED發(fā)光二極管包括：透明的生長(zhǎng)襯底、半導(dǎo)體外延層、透明的出光層、電極。其中，半導(dǎo)體外延層包括，N-類型限制層、活化層、P-類型限制層：N-類型限制層形成在生長(zhǎng)襯底的主表面上，活化層形成在N-類型限制層上，P-類型限制層形成在活化層上。其特征在于：(1)透明的出光層形成在透明的生長(zhǎng)襯底和半導(dǎo)體外延層的側(cè)面；(2)出光層的側(cè)表面形成微結(jié)構(gòu)，提高出光效率，出光層側(cè)表面的微結(jié)構(gòu)的頂視形狀是三角形或矩形或圓弧形或不規(guī)則形狀；(3)出光層的折射率介于空氣與透明的生長(zhǎng)襯底和半導(dǎo)體外延層之間。