一種InAlGaN超晶格結構及具有其的發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022398654.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214280003U 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN214280003U 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L33/32（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟錫俊;崔志強;賈曉龍 申請（專利權）人 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
代理機構 北京和信華成知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張宏偉
地址 046000山西省長治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種InAlGaN超晶格結構及具有其的發(fā)光二極管芯片，該InAlGaN超晶格結構為多周期循環(huán)結構，每一個周期都包括InGaN阱層、位于所述InGaN阱層上的InAlGaN蓋層、位于所述InAlGaN蓋層上的GaN蓋層和位于所述GaN蓋層上的n型InAlGaN壘層。該結構的InAlGaN超晶格結構為低溫InAlGaN超晶格結構，其能有效地緩解晶體中的應力，抑制線性位錯的延伸，從而降低核心區(qū)域量子阱壘層的缺陷密度，提高量子阱質(zhì)量，進而提高紫外GaN基發(fā)光二極管的光效和可靠性。