一種氮化鋁襯底模板的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110701036.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113540295A 公開（公告）日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113540295A 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/20（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈曉龍;王曉東;劉乃鑫;閆建昌;李晉閩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郝亮
地址 047500山西省長治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化鋁襯底模板的制作方法，包括以下步驟：（1）、在襯底上濺射一層氮化鋁濺射層；（2）、將濺射有氮化鋁濺射層的襯底放入MOCVD爐內(nèi)，在氮化鋁濺射層上生長第一低溫氮化鋁層；（3）、在MOCVD爐內(nèi)，對(duì)第一低溫氮化鋁層的表面進(jìn)行高溫蝕刻，以在第一低溫氮化鋁層的表面刻蝕出分布均勻且大小一致的孔洞；（4）、在MOCVD爐內(nèi)，繼續(xù)在高溫蝕刻后的第一低溫氮化鋁層上生長第二低溫氮化鋁層。其能消除氮化鋁襯底模板表面的裂紋，提升UVC?LED各項(xiàng)光電參數(shù)及芯片可靠性，并且，其可以直接在MOCVD爐內(nèi)進(jìn)行，制造成本低，可以應(yīng)用于大批量快速生產(chǎn)。