一種氮化鋁薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110696371.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113488565A 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113488565A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/12（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣國(guó)文;徐廣源;樊怡翔;常煜鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郝亮
地址 046000山西省長(zhǎng)治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化鋁薄膜的制備方法，包括以下步驟：（1）、在襯底上濺射一層氮化鋁緩沖層；（2）、將濺射有氮化鋁緩沖層的襯底放入MOCVD爐中，在所述氮化鋁緩沖層上外延生長(zhǎng)氮化鋁層或鋁鎵氮層；（3）、在所述氮化鋁層或鋁鎵氮層上生長(zhǎng)摻雜鋁鎵氮層；（4）、按照順序反復(fù)進(jìn)行步驟（2）和步驟（3），周期數(shù)為2～20次；（5）、對(duì)生長(zhǎng)完成后的所述襯底進(jìn)行高溫退火。其通過使用MOCVD生長(zhǎng)的氮化鋁或鋁鎵氮層與摻雜鋁鎵氮層周期結(jié)構(gòu)替代濺射氮化鋁層，可以減小退火氮化鋁薄膜的應(yīng)變，從而改善制作器件的發(fā)光效率，以及閾值電壓。