一種倒裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110700999.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113488569A | 公開（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113488569A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
| 分類號(hào) | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郭凱;薛建凱;張向鵬;張曉娜;尉尊康;李勇強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山西中科潞安紫外光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郝亮 |
| 地址 | 047500山西省長(zhǎng)治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種倒裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片及其制備方法，所述發(fā)光二極管包括LED外延片和設(shè)置在LED外延片上的n電極歐姆接觸層（1?05）和p電極歐姆接觸層（1?06），在LED外延片的未設(shè)置n電極歐姆接觸層（1?05）和p電極歐姆接觸層（1?06）的區(qū)域上設(shè)有第一透明鈍化層（1?07），第一透明鈍化層（1?07）上刻蝕有微陣結(jié)構(gòu)（3?01），第一透明鈍化層（1?07）上沉積有高反射絕緣材料薄膜（3?02）且高反射絕緣材料薄膜（3?02）的厚度大于微陣結(jié)構(gòu)（3?01）的深度。其能夠提高芯片的光提取效率，從而達(dá)到提升亮度的效果。 |
