一種正裝紫外LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022518711.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214280004U 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN214280004U 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/42（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊濤 申請（專利權(quán)）人 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張宏偉
地址 046000山西省長治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利公開了一種正裝紫外LED芯片，包括襯底；半導(dǎo)體外延層，所述半導(dǎo)體外延層設(shè)置在所述襯底上，包括依次設(shè)置的N型半導(dǎo)體材料外延層、量子阱層和P型半導(dǎo)體材料外延層；所述正裝紫外LED芯片還包括ITO層，所述ITO層與所述半導(dǎo)體外延層中的P型半導(dǎo)體外延層接觸；所述ITO層中開設(shè)有貫穿的孔洞，所述孔洞位于所述P型半導(dǎo)體外延層的正上方，所述孔洞的面積占ITO層覆蓋的P型半導(dǎo)體材料面積的30％以下。本專利通過設(shè)置上述結(jié)構(gòu)的孔洞使得ITO層的紫外光透過效率提升，從而提升單位芯片面積下的紫外線透光量，提升LED芯片的亮度。