一種碳化硅外延底層的生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011547217.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112670165A 公開（公告）日 2021-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112670165A 申請(qǐng)公布日 2021-04-16
分類號(hào) H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳威佑;胡智威;蔡長(zhǎng)祐;蔡清富 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京百識(shí)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 方亞曼
地址 211805 江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道百合路121號(hào)紫峰研創(chuàng)中心二期四棟205室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅外延底層的生長(zhǎng)方法，在成長(zhǎng)緩沖層的過程中，堆棧一層不同碳硅比的的薄型阻障層，有效地阻擋襯底的垂直型位錯(cuò)往上延伸至外延層，并通過調(diào)控外延底層生長(zhǎng)過程中的碳硅比例，進(jìn)一步終止位錯(cuò)的成長(zhǎng)，有效降低外延層表面微孔洞數(shù)量1～2個(gè)級(jí)數(shù)，提高外延層表面質(zhì)量，在后續(xù)的三極管器件應(yīng)用上，減低因表面微孔洞造成的電性不良率，進(jìn)而提供器件產(chǎn)品的穩(wěn)定度與性能表現(xiàn)。