一種用于AC/DC的氮化鎵晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011569284.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112670343A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112670343A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
| 分類號(hào) | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鮑通 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 令儲(chǔ)（上海）科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200080上海市虹口區(qū)峨眉路315號(hào)8899室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于AC/DC的氮化鎵晶體管，包括成核層和襯底層，成核層的底部設(shè)有襯底層，襯底層上設(shè)有流體散熱結(jié)構(gòu)，襯底層的底部固定安裝有散熱座，成核層的頂部設(shè)有導(dǎo)電緩沖層，導(dǎo)電緩沖層遠(yuǎn)離成核層的一側(cè)設(shè)有漂移層，所述漂移層遠(yuǎn)離導(dǎo)電緩沖層的一側(cè)設(shè)有電子阻擋層，電子阻擋層遠(yuǎn)離導(dǎo)電緩沖層的一側(cè)設(shè)有溝道層，溝道層遠(yuǎn)離電子阻擋層的一側(cè)設(shè)有勢(shì)壘層，勢(shì)壘層頂部相對(duì)的兩側(cè)設(shè)有源極電極，有益效果：襯底層上設(shè)有流體散熱結(jié)構(gòu)，襯底層散熱性能好，在下襯底層上安裝有散熱座，使得氮化鎵晶體管整體具有散熱結(jié)構(gòu)，增加的流體散熱結(jié)構(gòu)和散熱座，有效的改善氮化鎵晶體管的散熱性能，優(yōu)化氮化鎵晶體管的使用性能和使用壽命，降低成本。?? |
