帶有外倒角碟形結(jié)構(gòu)的陶瓷介質(zhì)芯片、電容器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010728516.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111755246A 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN111755246A 申請公布日 2020-10-09
分類號 H01G4/12(2006.01)I;H01G4/012(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣小明;姚飛;馬永香;韓阿敏 申請（專利權(quán)）人 陜西華星電子開發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 西安泛想力專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陜西華星電子開發(fā)有限公司
地址 712034陜西省西安市西咸新區(qū)秦漢新城周陵新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)天工一路東段10號-3
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的帶有外倒角碟形結(jié)構(gòu)的陶瓷介質(zhì)芯片、電容器及制備方法，包括陶瓷介質(zhì)瓷體和設(shè)置于陶瓷介質(zhì)瓷體正反面的一對電極，陶瓷介質(zhì)瓷體的主體為圓柱形；陶瓷介質(zhì)瓷體正反面對應(yīng)于一對電極的覆蓋區(qū)域形成對稱的凹槽，電極是通過濺射工藝在凹槽底面形成的電極鍍層；凹槽的頂面高于陶瓷介質(zhì)瓷體的外側(cè)邊緣，使陶瓷介質(zhì)瓷體的外側(cè)邊緣形成倒角結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，電極是通過濺射工藝在凹槽底面形成的電極鍍層，周邊高防止邊緣擊穿，濺射掩膜可以使芯片兩端電極正對，達到最大的電極正對面積，從而獲得最大的電容量，電極的正對也使電場達到最均勻狀態(tài)能有效的解決電極不對稱造成的產(chǎn)品耐壓不良等問題。??