一種具有表面凹凸結(jié)構(gòu)的陶瓷介質(zhì)芯片及陶瓷電容器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021492015.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212625195U | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請公布號(hào) | CN212625195U | 申請公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | H01G4/12(2006.01)I;H01G4/012(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔣小明;姚飛;馬永香;韓阿敏 | 申請（專利權(quán)）人 | 陜西華星電子開發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安泛想力專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 石琳丹 |
| 地址 | 712034陜西省西安市西咸新區(qū)秦漢新城周陵新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)天工一路東段10號(hào)-3 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種具有表面凹凸結(jié)構(gòu)的陶瓷介質(zhì)芯片及陶瓷電容器，包括陶瓷介質(zhì)瓷體和設(shè)置于陶瓷介質(zhì)瓷體正反面的一對電極，陶瓷介質(zhì)瓷體的主體為圓柱形；陶瓷介質(zhì)瓷體正反面對應(yīng)于一對電極的覆蓋區(qū)域形成對稱的凹槽，電極是通過濺射工藝在凹槽底面形成的電極鍍層；凹槽底面以及電極平面的中部區(qū)域形成凸起，該凸起的側(cè)面與凹槽底面以及電極平面相應(yīng)的外圍區(qū)域?yàn)閳A弧過渡相接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，電極是通過濺射工藝在凹槽底面形成的電極鍍層，周邊高防止邊緣擊穿，濺射掩膜可以使芯片兩端電極正對，達(dá)到最大的電極正對面積，從而獲得最大的電容量，電極的正對也使電場達(dá)到最均勻狀態(tài)能有效的解決電極不對稱造成的產(chǎn)品耐壓不良等問題。?? |
