太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210073886.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103323466B 公開（公告）日 2016-04-13
申請公布號 CN103323466B 申請公布日 2016-04-13
分類號 G01N21/956(2006.01)I;G01B11/02(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 陳利平;惠施;裴世鈾;李波 申請（專利權(quán)）人 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 昆山四方專利事務(wù)所 代理人 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司
地址 215311 江蘇省蘇州市昆山市巴城鎮(zhèn)臨港工業(yè)園瑞安路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，硅片傳送機構(gòu)帶動硅片運動，激光三角位移傳感器將探測光斑投射到硅片表面來對其表面高度信息進行測量，硅片位置感應(yīng)裝置能夠感應(yīng)硅片位于激光三角位移傳感器檢測位置并傳信于數(shù)據(jù)采集卡，數(shù)據(jù)采集卡采集激光三角位移傳感器傳輸?shù)臏y量信息并輸出數(shù)據(jù)給處理器，激光三角位移傳感器的探測光斑為長軸方向與硅片線痕方向平行且短軸方向與硅片運動方向一致的橢圓光斑，本發(fā)明極大地降低了硅片表面的粗糙度對測量線痕的干擾，使得測量只對線痕敏感，有效地提高了線痕測量的精度和準(zhǔn)確度，實現(xiàn)了硅片線痕測量的高速檢測。