一種可抗PID的硅片表面鍍膜臭氧噴射裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721203677.0 申請日 -
公開（公告）號 CN207353277U 公開（公告）日 2018-05-11
申請公布號 CN207353277U 申請公布日 2018-05-11
分類號 H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐永洋;段少雷 申請（專利權(quán)）人 浙江天明國際科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州融方專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈相權(quán);薛紀表
地址 311201 浙江省杭州市蕭山區(qū)經(jīng)濟開發(fā)區(qū)橋南區(qū)塊鴻興路358號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種可抗PID的硅片表面鍍膜臭氧噴射裝置，包括安裝架、臭氧發(fā)生器、輸氣管、穩(wěn)流筒、等壓儲氣罐、連接頭、連接管、噴頭、儲氣罐、控制器，其特征在于：所述安裝架上部設(shè)置穩(wěn)流筒，下部設(shè)置等壓儲氣罐，穩(wěn)流筒的下部和等壓儲氣罐的上部分別設(shè)置一一對應(yīng)的連接頭，且相對應(yīng)的兩個連接頭通過連接管連接：所述等壓儲氣罐下部安裝噴頭；所述臭氧發(fā)生器通過輸氣管連接穩(wěn)流筒，且在輸氣管上設(shè)置儲氣罐。該裝置使用臭氧對烘干后的硅片進行噴射，經(jīng)臭氧噴射，硅片上形成一層SiO薄膜，從而提高硅片的抗PID性能。與現(xiàn)有使用笑氣進行噴射相比，該裝置的改造技術(shù)簡單，改造成本低，且能提升硅片的使用性能。