VDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910261385.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110047930A 公開（公告）日 2019-07-23
申請公布號 CN110047930A 申請公布日 2019-07-23
分類號 H01L29/78;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬彪 申請（專利權(quán)）人 芯興（北京）半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 芯興（北京）半導(dǎo)體科技有限公司
地址 101300 北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種VDMOS器件，在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底上具有第一導(dǎo)電類型的外延層，外延層中具有第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)及位于溝道區(qū)中的源區(qū)；在所述溝道區(qū)之間，還具有第一導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)；在所述第一導(dǎo)電類型的外延表面，還具有柵氧化層及所述VDMOS器件的柵極；所述的柵極上方還具有氧化層，所述氧化層整體覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面，將柵極包裹；接觸孔穿過氧化層及下方的源區(qū)，底部位于溝道區(qū)中，將源區(qū)引出；所述的溝道區(qū)中，還具有第二導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)，所述第二導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)從源區(qū)表面向下，底部超過溝道區(qū)位于外延層中；所述第二導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)，橫向上不超過源區(qū)。