金屬疊層結(jié)構(gòu)、芯片及其制造、焊接方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110655319.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113394186A | 公開(公告)日 | 2021-09-14 |
申請公布號 | CN113394186A | 申請公布日 | 2021-09-14 |
分類號 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;B23K20/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳鵬;羅玉杰;于正國 | 申請(專利權(quán))人 | 賽創(chuàng)電氣(銅陵)有限公司 |
代理機構(gòu) | 銅陵市嘉同知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 吳晨亮 |
地址 | 244000安徽省銅陵市銅陵經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)天門山北道3129號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了金屬疊層結(jié)構(gòu)、芯片及其制造、焊接方法,金屬疊層結(jié)構(gòu):包括八對AuSn疊層和底部Au層,其中Sn厚度為17000A,Au厚度為23050A?25600A,AuSn厚度比為1.355882?1.505882,Au質(zhì)量百分比為78.2108wt%?79.9459 wt%。本發(fā)明的有益效果是通過調(diào)整金屬疊層的疊層數(shù)、AuSn比例,實現(xiàn)了低于340°C的共晶焊接溫度,并且能夠?qū)崿F(xiàn)芯片完全共晶。 |
