一種以硅為犧牲層的薄膜體聲波諧振器制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810722065.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108900173B 公開（公告）日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN108900173B 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類號(hào) H03H9/17 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張樹民;陳海龍;王國(guó)浩;汪泉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州左藍(lán)微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明
地址 310015 浙江省杭州市拱墅區(qū)東新路690號(hào)602室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種以硅為犧牲層的薄膜體聲波諧振器制備方法，具體包括如下步驟：圖形化襯底硅片，在所述襯底硅片的第一表面形成凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域；制備二氧化硅覆蓋層，覆蓋所述襯底硅片的第一表面；平整化所述襯底硅片的第一表面，露出所述凸起區(qū)域；在所述凸起區(qū)域的上表面制備壓電三明治結(jié)構(gòu)；蝕刻所述凸起區(qū)域，形成空氣隙。本發(fā)明采用二氧化硅作為器件的支撐結(jié)構(gòu)，二氧化硅作為絕緣材料，在射頻下?lián)p耗較小，因此本發(fā)明可以選擇高阻硅片也可以選擇普通硅片，在成本上能夠降低；本發(fā)明的壓電三明治結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)于襯底硅片本身的單晶硅上，因此晶格匹配較好，有利于生長(zhǎng)性能更好的下電極和壓電薄膜，有利于改善薄膜體聲波諧振器器件性能。