一種金剛石生長(zhǎng)托盤(pán)和系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911053062.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110714225B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110714225B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/04（2006.01）I;C30B25/12（2006.01）I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 彭國(guó)令;黃翀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 航天科工（長(zhǎng)沙）新材料研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙楚為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李大為 |
| 地址 | 410205湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)文軒路27號(hào)麓谷鈺園B8棟7樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及金剛石制造領(lǐng)域，尤其涉及一種金剛石生長(zhǎng)托盤(pán)和系統(tǒng)。一種金剛石生長(zhǎng)托盤(pán)，包括基部、裝設(shè)在所述基部上的承臺(tái)；所述承臺(tái)為正多棱臺(tái)形或圓臺(tái)形，在上表面具有凹槽，所述凹槽的開(kāi)口處邊沿為倒角設(shè)計(jì)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下效果：通過(guò)新設(shè)計(jì)的籽晶托盤(pán)，可以維持籽晶表面的等離子體分布及電場(chǎng)分布在最佳狀態(tài)，保證金剛石籽晶生長(zhǎng)環(huán)境穩(wěn)定，降低表面生長(zhǎng)缺陷數(shù)量，最終合成出高質(zhì)量的單晶金剛石片；通過(guò)新設(shè)計(jì)的籽晶托盤(pán)，可以使籽晶托盤(pán)邊緣碳黑等雜質(zhì)生長(zhǎng)速率顯著降低，保證單次穩(wěn)定生長(zhǎng)時(shí)間更長(zhǎng)，可以一次性生長(zhǎng)更厚的產(chǎn)品，提高生產(chǎn)效率。 |
