一種低應力金剛石及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010604552.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111778555B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN111778555B 申請公布日 2021-09-24
分類號 C30B29/04;C30B11/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 彭國令;黃翀;劉立斌 申請（專利權）人 航天科工（長沙）新材料研究院有限公司
代理機構 武漢智匯為專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李恭渝
地址 410000 湖南省長沙市岳麓區(qū)麓山南路932號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種低應力金剛石及其制備方法，包括如下步驟：S1：將金剛石梯度升溫至1100?2300℃，保溫10min?8h；S2：再將金剛石梯度降溫至400℃以下。采用真空高溫設備或等離子體設備完成低應力金剛石的制備，將密閉空間的溫度梯度升高到1100℃以上的設備，真空高溫設備選為真空管式爐設備，本底真空度降低小于10?9mbar，并且采用惰性氣體Ar、He保護。本方法相比現(xiàn)有技術而言步驟簡單，方便大規(guī)模的處理成品單晶金剛石，特別適用于厚度較厚的單晶金剛石產(chǎn)品；采取梯度降溫法，極大地避免了高溫環(huán)境下對金剛石產(chǎn)品的內應力沖擊，使得內部晶體結構逐漸重新排列，達到去應力的目的；恰當?shù)臏囟瓤刂坪退俾士刂?，在確保了金剛石產(chǎn)品內應力能獲得有效改善的基礎上，保障了處理效率，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。