一種高質(zhì)量金剛石生長方法和系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911213935.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110820044B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN110820044B 申請公布日 2021-10-01
分類號 C30B29/04（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 彭國令;黃翀 申請（專利權(quán)）人 航天科工（長沙）新材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 長沙楚為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李大為
地址 410205湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)文軒路27號麓谷鈺園B8棟7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高質(zhì)量金剛石生長方法和系統(tǒng)。一種高質(zhì)量金剛石生長方法，包括步驟：S1、對籽晶表面進行預(yù)處理后放入生長倉中，通入氫氣和氧氣對籽晶進行表面刻蝕15?60min；S2、通入碳源生長金剛石；S3、判斷生長時間是否達到第一時間，若是，執(zhí)行步驟S4；若否，則執(zhí)行步驟S5；S4、停止通入碳源，通入氧氣刻蝕10?30min，執(zhí)行步驟S2；S5、檢測金剛石的表面是否出現(xiàn)雜質(zhì)，若是，則執(zhí)行雜質(zhì)處理操作，10?30min后執(zhí)行步驟S2；若否，則執(zhí)行步驟S3。本方法能夠無需選擇高質(zhì)量的金剛石片作為籽晶，降低了籽晶的成本，新生長的金剛石以層狀進行生長，并且金剛石表面缺陷進行修補，降低表面缺陷數(shù)量，同時并未降低金剛石的生長速率，仍然維持在高的生長速率，不低于8μm/h。