一種金屬氧化物晶體管制作源極漏極的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811438605.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109860062A 公開（公告）日 2019-06-07
申請公布號 CN109860062A 申請公布日 2019-06-07
分類號 H01L21/44（2006.01）I; H01L21/443（2006.01）I; H01L21/34（2006.01）I; H01L29/417（2006.01）I; H01L29/786（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾國興 申請（專利權(quán)）人 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
地址 350015 福建省福州市馬尾區(qū)儒江西路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種金屬氧化物晶體管制作源極漏極的方法。首先，步驟S1、利用光罩通過包括成膜、曝光、顯影、蝕刻、剝膜的工藝過程依序完成柵極電極層，柵極絕緣層，半導(dǎo)體層制程；其次，在進(jìn)行源極與漏極電極的成形工藝時，在機(jī)臺端設(shè)置一個屏蔽隔板，該屏蔽隔板的開口與源極與漏極電極的圖案位置、大小相應(yīng)；最后采用物理氣相沉積的方式，將源極與漏極電極的材料通過屏蔽隔板的開口分別沉積在柵極絕緣層、半導(dǎo)體層的相應(yīng)位置形成源極與漏極電極，進(jìn)而形成BCE結(jié)構(gòu)的TFT面板。本發(fā)明方法方法使得源極與漏極電極成膜時金屬不會擴(kuò)散到金屬氧化物層，不損害通道，且減少工藝過程，節(jié)省成本。