半導體發(fā)光器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510027914.1 申請日 -
公開（公告）號 CN104733579B 公開（公告）日 2018-05-08
申請公布號 CN104733579B 申請公布日 2018-05-08
分類號 H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王冬雷;梅勁;陳剛毅 申請（專利權(quán)）人 揚州德豪潤達光電有限公司
代理機構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 225002 江蘇省揚州市邗江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)牧羊路八號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 半導體發(fā)光器件及其制備方法，半導體發(fā)光器件包括襯底、形成于襯底上的結(jié)晶層、氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、過渡層、多量子阱層和P型氮化鎵層；還包括低溫氮化鎵層，低溫氮化鎵層形成于N型氮化鎵層上，且其上形成若干凹坑；應力釋放層，應力釋放層的厚度小于100nm并由依次形成于低溫氮化鎵層上的1至K層Inx(k)Ga1?x(k)N構(gòu)成，其中，第k層Inx(k)Ga1?x(k)N的厚度dk小于第k?1層Inx(k?1)Ga1?x(k?1)N的厚度dk?1，且x(k)＞x(k?1)，k＝1,…,K，K≤5；P型氮化鎵層覆蓋凹坑。本發(fā)明通過根據(jù)量子阱的銦的組分調(diào)整應力釋放層中InGaN的層數(shù)及總厚度，使各層InGaN的銦的組分從底層至表面遞增，厚度遞減，達到逐步釋放應力的目的。