LED半導(dǎo)體元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320074463.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN203192835U 公開（公告）日 2013-09-11
申請公布號(hào) CN203192835U 申請公布日 2013-09-11
分類號(hào) H01L33/22(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王冬雷 申請（專利權(quán)）人 揚(yáng)州德豪潤達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東秉德律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 241103 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)東區(qū)緯二次路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及LED半導(dǎo)體元件，其包含有至少一個(gè)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括下半導(dǎo)體層和上半導(dǎo)體層，所述下半導(dǎo)體層和所述上半導(dǎo)體層之間包含有生成于下半導(dǎo)體層的上端面的粗化層，所述粗化層包括多個(gè)突起，所述粗化層上生成有連續(xù)的氮化物材料層，所述突起穿過并突出于所述氮化物材料層；所述氮化物材料層的四周露出于所述粗化層之外。本實(shí)用新型提供全程在外延工藝中即可成長的具有由粗化層和氮化物材料層所構(gòu)成的缺陷阻擋層的LED半導(dǎo)體元件，降低半導(dǎo)體層中的位錯(cuò)缺陷，提高材料晶體質(zhì)量，進(jìn)而改善發(fā)光器件的性能，不需要二次外延，不需要經(jīng)過光刻、腐蝕等復(fù)雜步驟來制作圖形，具有實(shí)現(xiàn)方法簡單易行、成本低等優(yōu)點(diǎn)。