LED半導(dǎo)體元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201320074463.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN203192835U 公開(kāi)（公告）日 2013-09-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN203192835U 申請(qǐng)公布日 2013-09-11
分類(lèi)號(hào) H01L33/22(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王冬雷 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 揚(yáng)州德豪潤(rùn)達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東秉德律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 241103 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)東區(qū)緯二次路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及LED半導(dǎo)體元件，其包含有至少一個(gè)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括下半導(dǎo)體層和上半導(dǎo)體層，所述下半導(dǎo)體層和所述上半導(dǎo)體層之間包含有生成于下半導(dǎo)體層的上端面的粗化層，所述粗化層包括多個(gè)突起，所述粗化層上生成有連續(xù)的氮化物材料層，所述突起穿過(guò)并突出于所述氮化物材料層；所述氮化物材料層的四周露出于所述粗化層之外。本實(shí)用新型提供全程在外延工藝中即可成長(zhǎng)的具有由粗化層和氮化物材料層所構(gòu)成的缺陷阻擋層的LED半導(dǎo)體元件，降低半導(dǎo)體層中的位錯(cuò)缺陷，提高材料晶體質(zhì)量，進(jìn)而改善發(fā)光器件的性能，不需要二次外延，不需要經(jīng)過(guò)光刻、腐蝕等復(fù)雜步驟來(lái)制作圖形，具有實(shí)現(xiàn)方法簡(jiǎn)單易行、成本低等優(yōu)點(diǎn)。