單片集成具有晶格失配的晶體模板及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110394410.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102427068B 公開(kāi)（公告）日 2014-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN102427068B 申請(qǐng)公布日 2014-06-18
分類號(hào) H01L23/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王庶民;宋禹忻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州德豪潤(rùn)達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所 代理人 李儀萍
地址 200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種利用低粘滯度材料單片集成具有晶格失配的晶體模板及其制作方法，晶體模板的制作方法包括：提供具有第一晶格常數(shù)的第一晶體層；在第一晶體層上生長(zhǎng)緩沖層；在緩沖層的熔點(diǎn)溫度之下，在緩沖層上依序執(zhí)行第二晶體層生長(zhǎng)工藝和第一次模板層生長(zhǎng)工藝生長(zhǎng)第二晶體層和模板層、或者在緩沖層上直接執(zhí)行第一次模板層生長(zhǎng)工藝生長(zhǎng)模板層；將緩沖層熔化并轉(zhuǎn)化為非晶態(tài)，在高于緩沖層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的生長(zhǎng)溫度下，在第一次模板層生長(zhǎng)工藝中生長(zhǎng)的模板層上執(zhí)行第二次模板層生長(zhǎng)工藝，繼續(xù)生長(zhǎng)模板層，直至模板層晶格完全弛豫。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有制作簡(jiǎn)單、在同一襯底上實(shí)現(xiàn)多種晶格常數(shù)材料組合且位錯(cuò)密度低、晶體質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)。