半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510027914.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104733579A 公開（公告）日 2015-06-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN104733579A 申請(qǐng)公布日 2015-06-24
分類號(hào) H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王冬雷;梅勁;陳剛毅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州德豪潤達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東秉德律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 225002 江蘇省揚(yáng)州市邗江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)牧羊路八號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、形成于襯底上的結(jié)晶層、氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、過渡層、多量子阱層和P型氮化鎵層；還包括低溫氮化鎵層，低溫氮化鎵層形成于N型氮化鎵層上，且其上形成若干凹坑；應(yīng)力釋放層，應(yīng)力釋放層的厚度小于100nm并由依次形成于低溫氮化鎵層上的1至K層Inx(k)Ga1-x(k)N構(gòu)成，其中，第k層Inx(k)Ga1-x(k)N的厚度dk小于第k-1層Inx(k-1)Ga1-x(k-1)N的厚度dk-1，且x(k)＞x(k-1)，k＝1,…,K，K≤5；P型氮化鎵層覆蓋凹坑。本發(fā)明通過根據(jù)量子阱的銦的組分調(diào)整應(yīng)力釋放層中InGaN的層數(shù)及總厚度，使各層InGaN的銦的組分從底層至表面遞增，厚度遞減，達(dá)到逐步釋放應(yīng)力的目的。